三星公司日前宣布,其基于90nm工艺制造的XDR DRAM内存将会应用在Sony前一段时间正式宣布推出的新一代PlayStation 3游戏主机上。

这款三星512MB XDR DRAM内存最高的数据传输速度可以达到9.6Gbps,比DDR 400内存速度快12倍,比目前领先的RDRAM(PC 800)内存还要快上6倍。这款采用90nm技术制造的内存在1.8伏特的电压下能够达到4.8Gbps的峰值操作速度。
这款内存可以用在需要先进的数字影像或者3D图形等高性能宽带应用当中,例如最新的游戏、数字电视、高端服务器和豪华工作站当中。